片式二极管【SMD Diode】全称：片式晶体二极管，也称为：贴片二极管。
二极管与三极管一样属于最基础的片式半导体器件，其最重要的性质就是单向导电特性。半导体是一种特殊性质的物质，它不像导体一样可以导电，也不像绝缘体那样不 能导电，而是介于二者之间，所以称之为半导体，在半导体中有二种最重要的元素就是硅和锗，晶体二极管凭据所用的半导体质料，可分为锗二极管（Ge管）和硅 二极管（Si管）。
贴片二极管凭据差异功效和用途可分为贴片式开关二极管、变容二极管、稳压片式二极管、整流片式二极管 、肖特基片式二极管、瞬变抑制二极管、发光二极管等。目前海内贴片二极管主要生产厂家包罗风华高科（FH）和江苏长电科技JCST等。外洋二极管品牌包罗VISHAY（威世）、ST（意法半导体）、东芝 、AVAGO（安华高）等，目前在通例用途和封装方面，海内二极管品牌与外洋知名品牌相比没有明显差距。
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开关二极管
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常用型号为1N4148等。
开关二极管从截止（高阻状态）到导通（低阻状态）的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。
开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，广泛应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。
变容二极管
变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"。是一种利用PN结电容（势垒电容)与其反向偏置电压Vr的依赖关系及原理制成的二极管。当外加顺向偏压时，有大量电流发生，PN（正负极）接面的耗尽区变窄，电容变大，发生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会发生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的发生，所以在应用上均供应反向偏压。在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的。
贴片稳压二极管/齐纳二极管
稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直惠临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是凭据击穿电压来分档的。因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
参数：（1）稳定电压；（2）电压温度系数；（3）动态电阻；（4）稳定电流 ，最大、最小稳定电流；（5）最大允许功耗。
特点：被击穿后，其两端的电压基本保持稳定。当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生颠簸，或其它原因造成电路中各点电压变换时，负载两端的电压将基本保持稳定。
两个稳压二极管反向串联的作用：1、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起掩护作用；2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压掩护作用，当电路过压时，二极管首先击穿短路；
贴片整流二极管
整流二极管英文全称rectifier diode，一般为平面型硅二极管，用于种种电源整流电路中，是一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。整流二极管具有明显的单向导电性,可用半导体锗或硅等质料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流�。呶滦阅芰己�。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但事情频率不高，一般在几十千赫以下,主要用于种种低频半波整流电路，如需到达全波整流需连成整流桥使用。
选用：选用整流二极管时，主要应考虑其最大整流电流、最大反向事情电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管，对截止频率的反向恢复时间要求不高，只要凭据电路的要求选择最大整流电流和最大反向事情电流切合要求即可。开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用，应选用事情频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管或选择快恢复二极管。
主要参数：
（1）最大平均整流电流IF：指恒久事情时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000二极管的IF为1A。
�。�2）最高反向事情电压VR：指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4002-1n4006划分为100V、200V、400V、600V和800V，1N4007的VR为1000V
�。�3）最大反向电流IR：最高反向事情电压下允许流过的反向电流，此参数反映了单向导电性能的优劣。因此这个电流值越�。裁髦柿吭胶�。
（4）击穿电压VR：指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。
�。�5）最高事情频率fm：正常情况下的最高事情频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若事情频率凌驾fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。
�。�6）反向恢复时间tre：指在划定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。
�。�7）零偏压电容CO：指两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，纵然同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个规模，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于10uA，而在100°C时IR则变为小于500uA。
整流二极管代换需要注意的问题：
整流二极管损坏后，可以用同型号的整流二极管或参数相贩其它型号代换。通常，高耐压值（反向电压）的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管，而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管，而整流电流值低的则不能代换整流电流值高的二极管。
贴片肖特基二极管
肖特基二极管英文全称为SchottkyBarrierDiode，经常简称为SBD，不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的，因此也被称为金属－半导体（接触）二极管或外貌势垒二极管或肖特基势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管特性：低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可到达几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法相比的。中、小功率肖特基整流二极管大多接纳封装形式。但其反向击穿电压比力低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。肖特基二极管封装：分为有引线和外貌安装（贴片式）两种安装形式。 接纳有引线式封装通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或掩护二极管使用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只的负极）三种管脚引出方式。
接纳外貌封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式
贴片瞬变抑制二极管(台湾佑风)
瞬态抑制二极管(TVS，Transient Voltage Suppressors)又称为瞬变二极管，一种高品质的突波吸收器，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路掩护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。
主要特点：并联在电路中，在反向应用条件下，当蒙受一个高能量的大脉冲时，其事情阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压箝制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地掩护电子线路中的精密元器件。 在电路中发生瞬态电压时，TVS利用雪崩原理，以P秒级的反映速度瞬间起到分流限压作用、从而掩护负载不被损坏应用领域：广泛应用于通信、电脑,、仪器仪表、汽车电子、开关电源、防雷及楼宇安防产物。
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